ISO9001
图片展示

SiC MOSFET功率循环测试技术的挑战与分析

发表时间: 2023-03-27 17:15:13

作者: NE电气

来源: NE电气公众号

浏览:

NE电气公众号

特 别 致 谢 

报告专家:邓二平博士(华北电力大学)   

推荐专家:杨少华博士(中国赛宝实验室)

专家介绍

邓二平

      邓二平,博士,硕士生导师,华北电力大学教师,德国开姆尼茨工业大学博士后,华电(烟台)功率半导体技术研究院有限公司总经理,中国能源学会专家委员会委员。完成Infineon德国总部项目1项,主持国家自然基金青年基金1项、中央高校基金3项,参与国家02重大专项、能源局项目和国家重点研发计划等项目的申请和研究工作,参与国家自然科学基金2项(面上项目)和智能电网联合基金。功率器件可靠性研究团队现有博士研究生6名,硕士研究生11名,发表论文60余篇,其中SCI检索论文30篇, EI检索论文15篇,申请发明专利20余项,授权7项。受国外出版社邀请,出版了2本英文专业书籍的独立章节,并为2个国际会议的技术委员会成员。电力电子器件顶级期刊IEEE IEM, IEEE TPEL, IEEE TIE, Microelectronics Reliability等期刊审稿人。主要研究方向为高压大功率IGBT器件封装和可靠性研究、可靠性测试方法、测试技术、失效机理、寿命评估、寿命模型建立和在线状态监测。华电(烟台)功率半导体技术研究院为功率器件第三方检测机构和功率循环设备供应商,为客户提供全面的器件特性测试、可靠性测试和失效分析等技术服务,并提供具有世界一流水平的功率循环测试装备。




SiC MOSFET功率循环测试技术的挑战与分析
NE电气公众号
长按图片保存/分享
0

关于泰斯特尔

新闻资讯

联系我们

产品中心

办公电话

0755-23303946

 

0755-28265640

 

手       机:159 8956 7281 施经理
手       机:159 9950 5313 冯经理

公司邮箱:info@tiast.cn

施  经  理:sales1@tiast.cn              
冯  经  理:sales4@tiast.cn

版权所有:深圳市泰斯特尔系统科技有限公司   备案号:粤ICP备2020113191号  网站地图

添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功
添加微信好友,详细了解产品
我知道了